Samsung закладывает основу для смартфонов с большим количеством оперативной памяти

31.12.2013 | 01:00 Экономика

Результатом модернизации будут более быстрые и отзывчивые приложения на смартфонах и планшетах

Samsung Electronics анонсировала новый чип, который сделает возможным для компании и других производителей создание смартфонов и планшетов с объемом оперативной памяти до 4Gb.

Samsung разработала первую в отрасли маломощную оперативную память для мобильных устройств DDR4 — 8 Gigabit LPDDR4 (low power double data rate). При установке четырёх таких модулей, смартфон или планшет может получить 4Gb оперативной памяти, заявила Samsung в понедельник.

Сегодня многие дорогие смартфоны имеют 2Gb оперативной памяти, в то время как Galaxy Note 3 от Samsung имеет 3Gb. По данным компании, увеличение памяти и улучшение производительности, предлагаемые чипом от Samsung, приведет к более быстрой и более отзывчивой работе приложений и откроет дверь для более продвинутых функций, а также для более высокого разрешения изображения. Новый чип также потребляет меньше энергии, чем существующие чипсеты памяти.

Чип начнут поставлять в следующем году, и он будет использоваться в смартфонах с большим экраном, планшетах и ультратонких ноутбуках, в соответствии с информацией Samsung. Некоторые из устройств также будет иметь экраны сверхвысокой чёткости 4K или UHD, заявила компания, без уточнения подробностей о продукте.

Другие ожидаемые тренды смартфонов в следующем году: более быстрые сети LTE и более быстрые процессоры.

Qualcomm недавно объявила о процессоре Snapdragon 805, который имеет четыре ядра с частотой до 2,5GHz и, как ожидается, будет доступен в коммерческих устройствах в первой половине 2014 года. Ожидается, что Samsung покажет, что будет внутри его high-end мобильных устройствах следующего поколения на Международной выставке CES в Лас-Вегасе на следующей неделе. На прошлой неделе компания опубликовала сообщение в  Twitter с вопросом – готовы ли последователи к объявлению Exynos — мобильного  процессора Samsung, назначенному на 7 января.