Представители Института микроэлектроники Китайской академии наук заявили о
совершении прорыва в создании интегральных схем по 22-нанометровому
техпроцессу, что может заметно простимулировать местных производителей
электроники.
Китайские ученые разработали МОП-транзистор (полевой транзистор со
структурой металл-оксид-полупроводник) с длиной затвора в 22 нанометра – первый
шаг к созданию 22-нанометровых интегральных схемах.
Добиться этого удалось благодаря применению в качестве материалов для
создания затворов металлов
high-k (с высокой
диэлектрической проницаемостью) вместо кремния и поликремния. По заявлению
представителей института, результатом стало «быстродействие мирового уровня при
низком рассеивании энергии».
Этот прорыв может обеспечить Китаю значительную экономию, избавив от
необходимости закупать технологии за рубежом, а также повысить
конкурентоспособность китайских интегральных схем на мировом рынке, говорится в
заявлении.
Исследование было запущено в 2009 году в качестве одного из ключевых
национальных научных проектов.