Мемристор — “memory resistor” — революция в области хранения данных, которую совершают НР и Hynix Semiconductor Inc.

Как предполагают условия соглашения, НР и Hynix Semiconductor Inc. будут
совместно разрабатывать новые материалы и технологию интеграции для обеспечения
перехода мемристоров из исследований в коммерческое использование.

Технология ReRAM, на которой построены мемристоры, – это вид хранения
информации, нестираемый при отключении питания. Его важнейшее качество — низкое
энергопотребление. Данная технология в перспективе может заменить флэш-память,
которая в настоящее время используется в мобильных телефонах и MP3 плеерах.

ReRAM также может выступать в качестве универсального носителя — то есть
памяти, которая может вести себя, как Flash, DRAM или жесткий диск.

Мемристор (сокр. от англ. “memory resistor” – «резистор памяти ») был
предложен в качестве четвертого основного элемента электросхемы профессором
Университета Калифорнии (Berkeley) Леоном Чуа в 1971г. и впервые реализован на
практике разработчиками Лабораторий НР, главного научно-исследовательского
подразделения компании, в 2006г.

В начале этого года исследователи HP Labs сообщили об открытии, согласно
которому мемристоры также могут совершать логические операции.
Это позволяет полагать, что устройства, созданные на
осданных, могут изменить сложившуюся парадигму обработки данных при помощинове
новой информационной
технологии управления хранением  отдельного центрального
процессора, позволив в будущем выполнять аналогичные операции прямо на чипах,
хранящих информацию.