USD 66.62 ЕВРО 75.38

Samsung начнет массовое производство скоростной памяти для смартфонов емкостью 128Gb

Экономика

Новая встраиваемая память от Samsung также поддерживает очереди команд

Samsung начинает массовое производство первой 128Gb встраиваемой флэш-памяти на основе стандарта Universal Flash Storage (UFS) 2.0.

Память предназначена для использования в флагманских смартфонах следующего поколения и будет предлагать производительность в 2,7 раза выше, чем современная встраиваемая флеш-память MultiMediaCard (eMMC).

Samsung рекламирует возможности новой памяти, чтобы предложить плавный стриминг видео ультравысокой четкости, более эффективную многозадачность и пониженное потребление энергии.

Спецификация UFS 2.0, выпущенная в 2013 году, предлагает многополосную последовательную шину, вместо однополосной параллельной шины, используемой в современной флеш-памяти eMMC.

Спецификация UFS 2.0 может обеспечить пропускную способность до 600MBps (мегабайт в секунду), но из-за использования двух последовательных полос, в общей сложности будет 1200MBps или 12Gbps, заявляет Samsung. Это сопоставимо со спецификацией EMMC 5.0, которая имеет максимальную производительность 400MBps через одну параллельную шину.

UFS 2.0 превосходит даже текущий стандарт SATA 3.0, используемый в большинстве 2,5 дюймовых твердотельные накопителей (SSD). SATA 3.0 обеспечивает пропускную способность до 6Gbps.

Согласно Samsung, память UFS 2.0 предлагает в три раза большую скорость последовательного чтения, чем eMMC и в два раза большую скорость произвольного чтения.

«С нашим массовым производством ультраскоростной памяти UFS с самым высоким объемом в отрасли, мы делаем значительный вклад в улучшение мобильного опыта потребителей», сказал в заявлении Джи-Хо Пэк, старший вице-президент по маркетингу памяти в Samsung. «В будущем, мы будем увеличивать долю памяти высокой емкости».

Новая UFS 2.0 флэш-памяти от Samsung также использует очередности команд, позволяя задержать выполнение команды и сортировать их на основе приоритета данных, тем самым увеличивая производительность критически важных функций.

UFS память от Samsung выполняет до 19 000 операций ввода/вывода в секунду (IOPS) при произвольном чтении, что в 2,7 раза быстрее, чем флэш-память eMMC 5.0. Она также обеспечивает скорость последовательного чтения и записи 12 раз выше, чем у типичной высокоскоростной карты памяти, которая выполняет 1500 IOPS.

Новая память может выполнять до 14000 IOPS, в 28 раз быстрее, чем обычная внешняя карта памяти, «что делает ее способной поддерживать непрерывное воспроизведение Ultra HD видео и плавную многозадачность, позволяя значительно улучшить мобильный опыт», заявила Samsung.

Новая встроенная память UFS от Samsung будет поставляться в вариантах: 128GB, 64GB и 32GB, что в два раза выше по объему, чем линейка eMMC.